在半導體行業技術革新的浪潮中，韓美半導體（Hanmi Semiconductor）近日于“Semicon Korea 2026”展會上推出了一款專為下一代高帶寬內存（HBM）設計的創新設備——新型寬幅熱壓鍵合設備（Wide TC Bonder），引發業界廣泛關注。
據公司代表透露，當前HBM量產面臨的核心挑戰之一是混合鍵合（Hybrid Bonder）設備的商業化進程受阻，而這款新型設備正是為了填補這一技術空白而生。其研發目標直指HBM5和HBM6等未來產品，旨在通過結構創新突破現有技術瓶頸。
該設備的技術亮點在于其獨特的鍵合機制。當HBM芯片（Die）面積擴大時，它能夠同步增加硅通孔（TSV）和輸入/輸出（I/O）端口的數量，從而優化功耗表現。與傳統高堆疊方案相比，這種設計在提升性能的同時顯著降低了能耗。設備還通過增加中介層（Interposer）與微凸點（Micro Bump）的連接密度，為內存容量和帶寬的升級提供了物理基礎。
另一項突破性技術是可選配的“無助焊劑（Fluxless）鍵合”功能。這一工藝通過消除傳統焊接中的助焊劑殘留，有效減少了芯片表面的氧化層，同時增強了鍵合界面的機械強度。實驗數據顯示，該技術可使HBM模塊的整體厚度進一步縮減，為設備小型化設計開辟了新路徑。
從生產效益角度看，韓美半導體強調該設備在良率提升和質量管控方面具有顯著優勢。通過精密的熱壓控制與材料兼容性優化，新型設備能夠降低制造過程中的缺陷率，為HBM5和HBM6的規模化生產奠定技術基礎。這一進展或將重塑高端內存市場的競爭格局，推動行業向更高性能、更低功耗的方向演進。
