近日，有網友在閑魚平臺發布了一組圖片，展示了高通下一代旗艦芯片——第六代驍龍8至尊Pro版（Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro，型號SM8975）的封裝設計細節，引發科技圈關注。該芯片在內存支持、散熱架構和封裝工藝上均實現突破性升級，被視為高通沖擊高端移動處理器市場的又一力作。

據網友透露，SM8975采用三星首創的HPB（散熱路徑塊）技術，通過在芯片封裝頂部集成散熱片（Heat Slug Sheet），徹底改變了傳統設計。此前，DRAM內存通常直接堆疊在SoC上方，導致核心熱量積聚難以散發，而HPB技術通過優化散熱路徑，為芯片核心創造了"呼吸空間"，顯著提升熱傳導效率。行業分析師指出，這一改進或使該芯片在持續高負載運行時穩定保持5.00GHz主頻，同時避免觸發溫度保護機制。

在內存支持方面，SM8975展現出極強的靈活性。封裝設計圖顯示，該芯片同時支持4×24-bit通道的LPDDR6內存和4×16-bit通道的LPDDR5X內存，合作伙伴可根據成本需求自由選擇配置。存儲接口則升級至雙通道UFS 5.0標準，理論帶寬較前代提升近一倍。值得注意的是，為兼容不同規格內存，高通特別設計了大小核架構，在提升性能的同時確保功耗可控。

作為對比，同期曝光的SM8950芯片則顯得較為保守。該型號僅支持常規LPDDR5內存，且高通在技術文檔中對其描述極為簡略，甚至QRD8950開發平臺僅提供單一SKU配置，采用1S供電方案。這種差異化策略暗示高通正通過技術分層滿足不同市場需求，SM8975顯然定位于頂級旗艦設備。

封裝工藝上，SM8975延續了先進的疊層封裝（PoP）技術，將內存顆粒與處理器垂直堆疊，在有限空間內實現高密度集成。行業消息稱，該芯片預計將于2025年第一季度量產，首批搭載設備可能包括三星Galaxy S25 Ultra和小米15 Ultra等機型。隨著移動計算需求持續增長，散熱與功耗控制已成為芯片設計的核心挑戰，高通此次的技術突破或將重新定義高端移動處理器的性能標準。