2 月 23 日消息，據路透社今日報道，阿斯麥（ASML）的研究人員表示，他們已找到提升關鍵芯片制造設備光源功率的方法，到 2030 年可將芯片產量提高多達 50%。

注意到，阿斯麥極紫外（EUV）光源首席技術官邁克爾?珀維斯（Michael Purvis）在接受采訪時表示：“這不是花拳繡腿，也不是那種只能在極短時間內演示可行的東西，這是一個能在客戶實際生產環境的所有相同要求下，穩定輸出 1000 瓦功率的系統。”

報道稱，隨著周一公布的這一技術進步，阿斯麥旨在通過改進光刻機中技術難度最高的部分，進一步拉開與所有潛在競爭對手的距離。這是一場生成具備合適功率和特性的極紫外光，以實現高產量芯片制造的技術攻關，該公司研究人員已找到將 EUV 光源功率從目前的 600 瓦提升至 1000 瓦的方法。

其主要優勢在于，更高的功率意味著每小時能制造更多芯片，從而降低單顆芯片的成本。芯片制造過程類似“打印”：極紫外光照射到涂有光刻膠的硅片上。借助功率更高的 EUV 光源，芯片廠所需的曝光時間將大幅縮短。

阿斯麥 NXE 系列 EUV 光刻機業務執行副總裁滕?梵高（Teun van Gogh）表示，到 2030 年，升級后的設備每小時可處理約 330 片晶圓，而目前為 220 片。根據芯片尺寸的不同，每片晶圓可產出數百到數千顆芯片。

報道提到，阿斯麥通過強化其光刻機中最復雜的部件之一 —— 錫滴發生器，實現了功率提升。在該系統中，大量二氧化碳激光將錫滴加熱成等離子體（一種超熱物質狀態），然后錫離子發出可用于芯片制造的極紫外光。

周一披露的關鍵進展是將錫滴數翻倍至約每秒 10 萬次，并用兩次較小的激光脈沖將其塑形成等離子體，而現在的機器只能用一次成型。

珀維斯表示：“這非常具有挑戰性，因為你需要掌握納米級的精準度，你必須掌握激光技術、等離子體科學以及材料科學。”他補充道：“我們在千瓦級實現的成果意義重大，已經看到了一條通往 1500 瓦的清晰路徑，從理論上講，未來突破 2000 瓦也不存在根本性障礙。”