存儲行業巨頭美光科技近日宣布，其位于美國紐約州的巨型晶圓廠項目將于1月16日正式啟動建設。這一總投資達1000億美元的工程，不僅是紐約州歷史上規模最大的私人投資項目，更被視為全球半導體產業格局重塑的關鍵一步。
根據規劃，該制造中心將分階段建設四座先進工廠，首座工廠預計2030年投入運營，第二座工廠將于2033年啟用，全部四座工廠預計在2045年前完成建設。項目建成后將創造約9000個就業崗位，涵蓋從晶圓制造到封裝測試的全產業鏈環節。美光特別強調，新工廠將專注于生產滿足人工智能領域需求的高性能存儲芯片。
這個備受矚目的項目曾因環境評估流程遭遇延誤。原定2024年中開工的計劃，因需審查長達上萬頁的環境影響報告，導致工期推遲約一年半。美光方面表示，目前已完成所有前期審批和場地準備工作，3月31日前將完成場地清理，隨后啟動鐵路支線改造和濕地平整等基礎設施工程。
市場研究機構Counterpoint Research數據顯示，在2025年第三季度全球HBM（高帶寬內存）市場中，美光以21%的營收份額位居第三，落后于SK海力士（57%）和三星電子（22%）。但在包含HBM的整體DRAM市場，三家公司的份額差距較小：SK海力士占34%、三星電子占33%、美光占26%。
業內分析指出，美光此次大規模擴產具有戰略意義。若能按計劃將市場份額提升至40%，不僅將改寫當前"三足鼎立"的市場格局，更可能使其超越競爭對手，成為全球最大的存儲芯片供應商。特別是在人工智能算力需求持續爆發的背景下，高性能存儲芯片的市場前景被普遍看好。
該項目的建設周期橫跨二十年，采用分階段實施策略。首期工程將聚焦3D NAND閃存生產，后續工廠將逐步引入更先進的制程技術。美光透露，新工廠將采用全自動化的智能生產系統，并配備最嚴格的環境保護設施，確保在提升產能的同時符合可持續發展要求。
