臺積電（TSMC）近日宣布，已向其參股的特色工藝晶圓代工企業世界先進（VIS）正式授權兩種氮化鎵（GaN）制程技術，涵蓋650V高壓與80V低壓領域。此次技術合作標志著雙方在第三代半導體領域的深度協同，旨在推動氮化鎵技術在更廣泛的應用場景中落地。

世界先進憑借此次授權，將其現有的硅襯底氮化鎵（GaN-on-Si）工藝制程擴展至高壓領域，構建起覆蓋高低壓的完整技術平臺。值得注意的是，該公司此前已擁有基于QST襯底的氮化鎵制程能力，此次技術升級使其成為全球首家同時掌握兩種不同襯底氮化鎵工藝的晶圓制造服務商，進一步鞏固了其在特色工藝領域的領先地位。

根據規劃，世界先進將基于成熟的八英寸晶圓生產線開展技術驗證，確保新制程的穩定性與良率達到量產標準。相關開發工作預計于2026年初啟動，經過兩年的技術優化與產能爬坡，計劃于2028年上半年實現規模化量產。這一時間表反映了第三代半導體技術從實驗室到產業化所需的嚴謹流程，也體現了雙方對技術成熟度的審慎評估。

氮化鎵作為第三代半導體的核心材料，憑借其高效率、高頻率等特性，在快充、5G基站、新能源汽車等領域展現出巨大潛力。此次技術授權不僅為世界先進開辟了新的業務增長點，也為臺積電通過戰略參股深化技術生態布局提供了典型案例。隨著全球對節能減排需求的持續增長，氮化鎵技術的商業化進程有望進一步加速。