2月13日消息，據wccftech報道，Rapidus正加速推進2nm制程量產計劃，目標2028年實現全面量產。
Rapidus于2025年4月啟動試產線，同年8月完成2nm GAA測試芯片流片，并計劃在2026年第一季度向客戶交付2nm PDK。
產能方面，Rapidus預計2027年初期月產能為6000片晶圓，僅一年后便計劃提升至約2.5萬片，增幅超過四倍。
在工藝性能上，Rapidus推出名為“2HP”的尖端2nm工藝，邏輯密度達237.31 MTr/mm²，與臺積電N2工藝的236.17 MTr/mm²基本持平，均屬高密度單元庫范疇，相較英特爾Intel 18A的184.21 MTr/mm²優勢明顯。
與此同時，Rapidus已著手規劃更先進的1.4nm制程，目標2029年實現量產。
Rapidus由索尼、豐田、NTT、三菱、NEC、鎧俠、軟銀等八家日本企業于2022年共同成立，致力于先進半導體工藝的本土化設計與制造。目前Rapidus正在北海道千歲市建設創新集成制造工廠，作為2nm芯片的生產基地。
